입상활성탄에 의한 SiO2 나노입자의 소멸과 이동

GAC에 의한 TCE제거에 미치는 상업용 SiO2 NPs의 영향을 평가했다. GAC 칼 럼 내부에서 발생하는 SiO2 NPs의 소멸도 평가했다. SiO2 NPs의 비표면적은 GAC에 비해 작았다.

SiO2 NPs는 안정제인 에틸렌글리콜 때문에 물속에서 매우 안정하고, 이러한 안 정제는 SiO2 NPs의 응결을 억제한다. SiO2 NPs의 영향은 이들의 제타전위, 농도 와 입자크기분포에 의한 함수이다.

pH7과 0.001M의 KH2PO4 조건에서 SiO2 NPs와 GAC간의 정전인력이 관찰되었다. 

이 인력은 SiO2 NPs를 GAC 표면에 부착하게 만들었다. 결과적으로 GAC 공 극폐쇄가 일어나서, GAC의 비표면적이 감소했다.

따라서 SiO2 NPs가 존재하면, 공극폐쇄로 인해 TCE 흡착량을 감소시켰다. TCE 와 SiO2 NPs간의 인력도 탐색했다. 단기간 또는 평형상태에서 SiO2 NPs 표면에 대한 TCE 흡착은 발생하지 않았다.

GAC 칼럼 내부에서 이 결론을 확인하고 SiO2 NPs의 소멸을 검증하기 위해 사 용한 GAC 샘플을 수집했다. 비표면적과 공극크기분포를 측정하고 사용하지 않은 GAC와 비교했다.

사용한 GAC는 사용하지 않은 GAC에 비해 더 적은 비표면적을 보였다. 이러한 감소는 SiO2 NPs가 GAC 표면에 부착하기 때문이다. GAC에 대한 SiO2 NPs의 흡착은 공극을 폐쇄시켜 GAC의 비표면적을 현저하게 감소시켰다.

평형 등온선흡착연구에서 SiO2 NPs가 TCE흡착에 미치는 영향은 관찰되지 않았다. 

이 연구결과는 평형 등온선연구에서 관찰되지 않는 나노입자의 영향을 확인 하기 위해 실질적인 통과연구가 중요하다는 것을 확실하게 나타냈다.

이복춘 기술 분분 발취